Es werden die wichtigsten Methoden der III-V-Halbleiter-Kristallzuechtung diskutiert, die von der Schwerkraft unterschiedlich beeinflusst werden: 1) Kristalle aus der Schmelze; Czochralski-Verfahren, LEC (Liquid encansulation)-Methode, Bridgman-Verfahren, Zonenziehen. 2) Kristalle aus Schmelzloesungen; Travelling-solvent-methode, Solute-Synthesis-Diffusion, Fluessigphasenepitaxie. 3) Gasphasenepitaxie. Bei Schwerelosigkeit entfallen Konvektionsstroemungen und damit die entsprechenden Wachstumsstoerungen. Allerdings ist die Waermeleitung und die Schmelzendurchmischung auch verringert. Das rein diffusionskontrollierte Wachstum ist sehr zeitaufwendig. Tiegelfreie Kristallisation ist im Raum moeglich. Vorschlaege fuer Spacelab-Versuche werden diskutiert.


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    Titel :

    Kristallzucht von III-V-Verbindungshalbleitern unter O-g-Bedingungen


    Beteiligte:
    Benz, K.W. (Autor:in) / Weiss, H. (Autor:in)

    Erschienen in:

    Erscheinungsdatum :

    1976


    Format / Umfang :

    76 Seiten, 25 Bilder, 3 Tabellen, 72 Quellen


    Medientyp :

    Report


    Format :

    Print


    Sprache :

    Deutsch




    Kristallzucht von III-V-Verbindungshalbleitern unter 0-g-Bedingungen

    Benz, Klaus-Werner / Weiss, Herbert | TIBKAT | 1976


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