Es werden die wichtigsten Methoden der III-V-Halbleiter-Kristallzuechtung diskutiert, die von der Schwerkraft unterschiedlich beeinflusst werden: 1) Kristalle aus der Schmelze; Czochralski-Verfahren, LEC (Liquid encansulation)-Methode, Bridgman-Verfahren, Zonenziehen. 2) Kristalle aus Schmelzloesungen; Travelling-solvent-methode, Solute-Synthesis-Diffusion, Fluessigphasenepitaxie. 3) Gasphasenepitaxie. Bei Schwerelosigkeit entfallen Konvektionsstroemungen und damit die entsprechenden Wachstumsstoerungen. Allerdings ist die Waermeleitung und die Schmelzendurchmischung auch verringert. Das rein diffusionskontrollierte Wachstum ist sehr zeitaufwendig. Tiegelfreie Kristallisation ist im Raum moeglich. Vorschlaege fuer Spacelab-Versuche werden diskutiert.
Kristallzucht von III-V-Verbindungshalbleitern unter O-g-Bedingungen
Forschungsbericht. BMFT ; Apr. ; 1-76
1976
76 Seiten, 25 Bilder, 3 Tabellen, 72 Quellen
Report
Deutsch
Marktoffensive bei den Verbindungshalbleitern
British Library Online Contents | 2010
Herstellung von III-V-Verbindungshalbleitern mit Loesungszonen
Tema Archiv | 1978
|