Der Lagebericht vermittelt einen allgemeinen Ueberblick ueber die Mikrowellen-Halbleitertechnologie sowie ueber Gebiete der integrierten Schaltkreistechnologie bei Ecom. Im einzelnen werden vorgestellt: ein GaAS-FET mit 1 Watt Ausgangsleistung bei 10GHz, Trapatt-Verstaerker fuer das S-und C-Band mit 200 Watt Spitzenleistung fuer einen 100mys-Impuls zwischen 3,1 und 3,5 Ghz sowie ein FET-Verstaerker mit 25 dB Gewinn von 12-15 GHz.


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    Titel :

    M/W device and circuit contract status at Ecom


    Weitere Titelangaben:

    Auftragslage fuer Mikrowellen-Geraete und -Schaltkreise bei Ecom


    Beteiligte:

    Erschienen in:

    Microwave Journal ; 19 , 1 ; 34-35


    Erscheinungsdatum :

    1976


    Format / Umfang :

    2 Seiten, 1 Bild


    Medientyp :

    Aufsatz (Zeitschrift)


    Format :

    Print


    Sprache :

    Englisch





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