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    Titel :

    n-p Junction formation in p-type silicon by hydrogen ion implantation




    Erscheinungsdatum :

    2002



    Medientyp :

    Aufsatz (Zeitschrift)


    Format :

    Print


    Sprache :

    Englisch



    Klassifikation :

    BKL:    53.36 Energiedirektumwandler, elektrische Energiespeicher / 52.52 Thermische Energieerzeugung, Wärmetechnik / 52.56 Regenerative Energieformen, alternative Energieformen / 50.70 Energie: Allgemeines



    INSBN Junction Diode Fabricated by Ion Implantation

    Chen, X. Z. / Wang, Y. / Zhang, D. H. et al. | IEEE | 2008




    Implantation of nitrogen: Effects of hydrogen and implantation energy

    Sugiura, Naoji / Futagami, Tsuneji / Nagai, Siro | NTRS | 1993


    Advanced vertical-junction silicon solar cells

    LINDMAYER, J. / WRIGLEY, C. | AIAA | 1977