We obtained strong near-UV and blue emissions at room temperature from In-rich InGaN/GaN MQW structures. We believe that use of less than 2-nm-thick In-rich InGaN QW layer can be a new candidate for near-UV and visible sources, which might replace the conventional Ga-rich, thicker InGaN QW layer.


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    Titel :

    Strong near-ultraviolet and blue emissions at room temperature from In-rich InGaN/GaN multi-quantum well structures


    Beteiligte:
    Soon-Yong Kwon, (Autor:in) / Sung-II Baik, (Autor:in) / Hee Jin Kim, (Autor:in) / Dong-Su Ko, (Autor:in) / Young-Woon Kim, (Autor:in) / Euijoon Yoon, (Autor:in) / Yoon-Soo Park, (Autor:in) / Jung-Won Yoon, (Autor:in) / Cheong, H.M. (Autor:in)

    Erschienen in:

    Erscheinungsdatum :

    2005-01-01


    Format / Umfang :

    1525523 byte




    Medientyp :

    Aufsatz (Konferenz)


    Format :

    Elektronische Ressource


    Sprache :

    Englisch