An evanescently-coupled-photodiode with partially p-doped photo-absorption layer was demonstrated and designed by a bandwidth simulation model to optimize its speed performance. Excellent performance of speed, saturation-power, and responsivity can be achieved simultaneously at 1.55 /spl mu/m wavelength.


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    Titel :

    Design and demonstration of high-power and high-speed evanescently coupled photodiodes with partially p-doped photo-absorption layer


    Beteiligte:
    Wu, Y.-S. (Autor:in) / Shi, J.-W. (Autor:in) / Wu, J.-Y. (Autor:in) / Huang, F.-H. (Autor:in) / Chan, Y.-J. (Autor:in) / Huang, Y.-L. (Autor:in) / Xuan, R. (Autor:in)


    Erscheinungsdatum :

    2005-01-01


    Format / Umfang :

    456801 byte




    Medientyp :

    Aufsatz (Konferenz)


    Format :

    Elektronische Ressource


    Sprache :

    Englisch