InSbN photodiodes prepared by N+ and Mg+ implantation into InSb wafers for long wavelength infrared photodetection are demonstrated for the first time. The detection wavelength can be controlled by monitoring the implanted nitrogen. Such devices are capable of mid- and long-wavelength infrared photodetection and potential candidates for terahertz radiation


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    Titel :

    INSBN Junction Diode Fabricated by Ion Implantation


    Beteiligte:
    Chen, X. Z. (Autor:in) / Wang, Y. (Autor:in) / Zhang, D. H. (Autor:in) / Liu, W. (Autor:in) / Li, J. H. (Autor:in)


    Erscheinungsdatum :

    2008-12-01


    Format / Umfang :

    174287 byte




    Medientyp :

    Aufsatz (Konferenz)


    Format :

    Elektronische Ressource


    Sprache :

    Englisch