We demonstrated high performance operation of 1.55 /spl mu/m wavelength GaInAsP-InP comprehensively strained MQW DFB lasers with completely etched through active layers that were fabricated by CH/sub 4//H/sub 2/-RIE and with OMVPE regrowth.


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    Titel :

    GaInAsP/InP distributed feedback lasers with periodic wire-like active regions fabricated by CH/sub 4//H/sub 2/ reactive-ion-etching


    Beteiligte:
    Nunoya, N. (Autor:in) / Nakamura, M. (Autor:in) / Kojima, T. (Autor:in) / Tanaka, S. (Autor:in) / Yasumoto, H. (Autor:in) / Tamura, S. (Autor:in) / Arai, S. (Autor:in)


    Erscheinungsdatum :

    1999-01-01


    Format / Umfang :

    168634 byte




    Medientyp :

    Aufsatz (Konferenz)


    Format :

    Elektronische Ressource


    Sprache :

    Englisch