This work reports on the feasibility of a design principle formulated using Li(1-x)KxBa(1-y)MgyF3double-hetero structure laser diode (LD) based on either KMgF3or LiBaF3substrate and operating at a wavelength in the deep ultraviolet region.


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    Titel :

    Formulation of design principle utilizing wide-gap fluoride hetero-structures for deep ultraviolet optical devices


    Beteiligte:
    Diwa, G. (Autor:in) / Quema, A. (Autor:in) / Ono, S. (Autor:in) / Sarukura, N. (Autor:in) / Kawazoe, Y. (Autor:in) / Fukuda, T. (Autor:in)


    Erscheinungsdatum :

    2005-01-01


    Format / Umfang :

    166072 byte




    Medientyp :

    Aufsatz (Konferenz)


    Format :

    Elektronische Ressource


    Sprache :

    Englisch



    Prospects of Wide-Gap Fluoride Hetero-Structures for Deep Ultraviolet Optical Devices

    Quema, A. | British Library Conference Proceedings | 2005


    Prospects of wide-gap fluoride hetero-structures for deep ultraviolet optical devices

    Diwa, G. / El Ouenzerfi, R. / Quema, A. et al. | IEEE | 2005


    Ultraviolet Microchip Cerium Fluoride Lasers

    Liu, H. | British Library Conference Proceedings | 2005


    Ultraviolet microchip cerium fluoride lasers

    Liu, H. / Spence, D.J. / Coutts, D.W. | IEEE | 2005


    Deep-ultraviolet lithography for 500-nm devices

    Holmes, Steven J. / Levy, Ruth / Bergendahl, Albert S. et al. | SPIE | 1990