We present the first microchip vertical external-cavity surface-emitting semiconductor laser operating at 1.3 /spl mu/m. Continuous-wave power >180 mW was achieved from a cavity volume /spl sim/0.001 mm/sup 3/ using a diode-pumped GaInNAs VECSEL structure capillary-bonded to a dielectric-mirror-coated diamond heatspreader.


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    Titel :

    A diamond-microchip GaInNAs VECSEL operating at 1315 nm


    Beteiligte:
    Smith, S.A. (Autor:in) / Hopkins, J.-M. (Autor:in) / Hastie, J.E. (Autor:in) / Calvez, S. (Autor:in) / Kemp, A.J. (Autor:in) / Burns, D. (Autor:in) / Dawson, M.D. (Autor:in)


    Erscheinungsdatum :

    2004-01-01


    Format / Umfang :

    109276 byte




    Medientyp :

    Aufsatz (Konferenz)


    Format :

    Elektronische Ressource


    Sprache :

    Englisch



    A Diamond-Microchip GaInNAs VECSEL Operating at 1315nm

    Lasers and Electro-optics Society (Institute of Electrical and Electronics Engineers) | British Library Conference Proceedings | 2004


    0.3W CW Red Microchip VECSEL

    Hastie, J. | British Library Conference Proceedings | 2005


    0.3 W cw red microchip VECSEL

    Hastie, J.E. / Calvez, S. / Dawson, M.D. et al. | IEEE | 2005


    Nr. 1315

    DataCite | 1870

    Freier Zugriff