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    Titel :

    High-power 630-nm-band AIGalnP laser diodes with strain-compensated single quantum well active layer


    Beteiligte:
    Hiroyama, R. (Autor:in) / Nishida, T. (Autor:in) / Uetani, T. (Autor:in) / Bessho, Y. (Autor:in) / Shono, M. (Autor:in) / Sawada, M. (Autor:in) / Ibaraki, A. (Autor:in)


    Erscheinungsdatum :

    1997-01-01


    Format / Umfang :

    289737 byte




    Medientyp :

    Aufsatz (Konferenz)


    Format :

    Elektronische Ressource


    Sprache :

    Englisch



    Self-pulsating 630-nm Band Strain-compensated MQW AlGaInP Laser Diodes

    IEEE / Lasers and Electro-Optics Society | British Library Conference Proceedings | 1995


    AlGaInP single quantum well laser diodes

    Bour, David P. / Treat, David W. / Beernink, K. J. et al. | SPIE | 1995


    Band structures and characteristics of InGaAs/InGaAsP strain-compensated quantum well lasers

    Ma, C. S. / Wang, L. J. / Liu, S. Y. | British Library Online Contents | 2001


    Band structures and characteristics of InGaAs/InGaAsP strain-compensated quantum well lasers

    Ma, C. S. / Wang, L. J. / Liu, S. Y. | British Library Online Contents | 2001


    Dependence on intrinsic strain of packaging-induced strain in quantum-well laser diodes

    Biermann, M.L. / Duran, S. / Tomm, J.W. et al. | IEEE | 2004