A RT-CW operation of GaInAsP/InP 5-stacked quantum-wire lasers (23 nm wide) fabricated by EB lithography, CH/sub 4//H/sub 2/-RIE and OMVPE regrowth was achieved. No significant changes in performance were observable even after 7100 h under the RT-CW condition.


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    Titel :

    Reliable RT CW operation of GaInAsP/InP multiple-quantum-wire lasers fabricated by dry etching and regrowth method


    Beteiligte:
    Yagi, H. (Autor:in) / Sano, T. (Autor:in) / Ohira, K. (Autor:in) / Plumwongrot, D. (Autor:in) / Maruyama, T. (Autor:in) / Haque, A. (Autor:in) / Arai, S. (Autor:in)


    Erscheinungsdatum :

    2004-01-01


    Format / Umfang :

    169619 byte



    Medientyp :

    Aufsatz (Konferenz)


    Format :

    Elektronische Ressource


    Sprache :

    Englisch