We have used an AlGaAsSb metamorphic buffer layer to extend the emission wavelength of InAs quantum dots grown on GaAs. Ground-state photoluminescence at wavelengths >1.6/spl mu/m is observed along with first-excited state lasing at /spl lambda//spl sim/1.34 /spl mu/m.


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    Titel :

    1.64 /spl mu/m emission from InAs quantum dots grown on a GaAs substrate using AlGaAsSb metamorphic buffers


    Beteiligte:
    Balakrishnan, G. (Autor:in) / Dawson, L.R. (Autor:in) / Huffaker, D.L. (Autor:in) / Xu, H. (Autor:in)


    Erscheinungsdatum :

    2003-01-01


    Format / Umfang :

    311430 byte



    Medientyp :

    Aufsatz (Konferenz)


    Format :

    Elektronische Ressource


    Sprache :

    Englisch