In this paper, we use the high rate recombination process in GaInAsNSb quantum well alloys to grow monolithic saturable absorber structures on GaAs substrate for ultrafast optical switching.


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    Titel :

    Novel ultrafast saturable-absorber device with controlled recombination rate based on GalnAsNSb quantum wells


    Beteiligte:
    Le Du, M. (Autor:in) / Harmand, J.-C. (Autor:in) / Travers, L. (Autor:in) / Oudar, J.-L. (Autor:in)


    Erscheinungsdatum :

    2005-01-01


    Format / Umfang :

    792206 byte




    Medientyp :

    Aufsatz (Konferenz)


    Format :

    Elektronische Ressource


    Sprache :

    Englisch



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