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    Titel :

    Vermeidung von Versetzungsclustern in multikristallinem Silizium im Rahmen der Silizium-Kristallisations-Technologie : Teilprojekt: Kristallisationsprozessentwicklung unter Nutzung eines G1-Ofens und umfassenden Simulationsmodellen sowie Messung der mechanischen Restspannung am fertigen Block ; BMU Verbundprojekt SilKriT ; Projekt-Abschlussbericht ; Laufzeit des Vorhabens: 01.06.2010 - 31.05.2013


    Weitere Titelangaben:

    Reduction of Dislocation Clusters in mc-Si within crystallization technology


    Beteiligte:
    Bähr, Thomas (Autor:in) / Behnken, Herfried (Autor:in)

    Erscheinungsdatum :

    2013


    Format / Umfang :

    38 Bl.


    Anmerkungen:

    Ill., graph. Darst.
    Förderkennzeichen BMU 0325209 B. - Verbund-Nr. 01078800. - Engl. Berichtbl. u.d.T.: Reduction of Dislocation Clusters in mc-Si within crystallization technology
    Unterschiede zwischen dem gedruckten Dokument und der elektronischen Ressource können nicht ausgeschlossen werden


    Medientyp :

    Report


    Format :

    Print


    Sprache :

    Deutsch



    Klassifikation :

    BKL:    33.61 Festkörperphysik / 53.36 Energiedirektumwandler, elektrische Energiespeicher