Photovoltaics, furnace design, crystallisation process, process optimisation
TCVP: Temperature controlled volume process - optimiertes Kristallisationsverfahren zur Herstellung multikristallinen Siliciums für die Photovoltaik : Abschlussbericht ; Zeitraum vom 01.03.2000 bis 31.12.2000
TCVP (Temperature Controlled Volume Process) - an optimised process for the production of multicrystalline silicon for photovoltaics
Projekt: TCVP: Temperature controlled volume process
Optimiertes Kristallisationsverfahren zur Herstellung multikristallinen Siliciums für die Photovoltaik
Temperature controlled volume process
TCVP-Abschlußbericht
2001
29 Bl
graph. Darst
Förderkennzeichen BMBF 032 9871. - Engl. Zsfassung u.d.T.: TCVP (Temperature Controlled Volume Process) - an optimised process for the production of multicrystalline silicon for photovoltaics
Unterschiede zwischen dem gedruckten Dokument und der elektronischen Ressource können nicht ausgeschlossen werden
Auch als elektronische Ressource vorh.
Report
Deutsch
Vergasungsverfahren für Althölzer mit motorischer Prozessgasnutzung : Abschlussbericht 31.12.2000
TIBKAT | 2001
|Versteckte Mechatronik : VeMech ; Abschlussbericht ; Laufzeit: 01.07.1997 bis 31.12.2000
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