Photovoltaics, furnace design, crystallisation process, process optimisation


    Zugriff

    Zugriff über TIB

    Verfügbarkeit in meiner Bibliothek prüfen


    Exportieren, teilen und zitieren



    Titel :

    TCVP: Temperature controlled volume process - optimiertes Kristallisationsverfahren zur Herstellung multikristallinen Siliciums für die Photovoltaik : Abschlussbericht ; Zeitraum vom 01.03.2000 bis 31.12.2000


    Weitere Titelangaben:

    TCVP (Temperature Controlled Volume Process) - an optimised process for the production of multicrystalline silicon for photovoltaics
    Projekt: TCVP: Temperature controlled volume process
    Optimiertes Kristallisationsverfahren zur Herstellung multikristallinen Siliciums für die Photovoltaik
    Temperature controlled volume process
    TCVP-Abschlußbericht



    Erscheinungsdatum :

    2001


    Format / Umfang :

    29 Bl


    Anmerkungen:

    graph. Darst
    Förderkennzeichen BMBF 032 9871. - Engl. Zsfassung u.d.T.: TCVP (Temperature Controlled Volume Process) - an optimised process for the production of multicrystalline silicon for photovoltaics
    Unterschiede zwischen dem gedruckten Dokument und der elektronischen Ressource können nicht ausgeschlossen werden
    Auch als elektronische Ressource vorh.


    Medientyp :

    Report


    Format :

    Print


    Sprache :

    Deutsch



    Klassifikation :

    BKL:    52.78 Oberflächentechnik, Wärmebehandlung / 53.36 Energiedirektumwandler, elektrische Energiespeicher