Hochratenabscheidung und Elektronenstrahlrekristallisierung von solarzellentauglichen Siliziumschichten auf Graphitsubstraten : Abschlußbericht für das Teilvorhaben ; im Rahmen des Gesamtvorhabens: Dünnschichtsolarzellen auf der Basis elektronenstrahlrekristallisierter und durch Flüssigphasenepitaxie verstärkter Siliziumschichten auf Graphitsubstraten ; Förderzeitraum: 01.05.1994 - 31.12.1998
High rate deposition and electron beam recrystallization of silicon films on graphite substrates for solar cells
1999
55 S.
Ill., graph. Darst
Förderkennzeichen BMBF 0329571; 0329571/175. - Zsfassung in engl. Sprache u.d.T.: High rate deposition and electron beam recrystallization of silicon films on graphite substrates for solar cells
Report
Deutsch
BKL: | 53.36 Energiedirektumwandler, elektrische Energiespeicher |
Erzeugung dünner Siliziumschichten auf Graphit durch Schmelzflußelektrolyse
GWLB - Gottfried Wilhelm Leibniz Bibliothek | 1997
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