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    Titel :

    Direct band gap InxGa1−xAs/Ge type II strained quantum wells for short-wave infrared p–i–n photodetector


    Beteiligte:
    Harbi, N. (Autor:in) / Sfina, N. (Autor:in) / Jbeli, A. (Autor:in) / Lazzari, J.-L. (Autor:in) / Said, M. (Autor:in)

    Erschienen in:

    Optical materials ; 46 ; 472-480


    Erscheinungsdatum :

    2015-01-01


    Format / Umfang :

    9 pages



    Medientyp :

    Aufsatz (Zeitschrift)


    Format :

    Print


    Sprache :

    Unbekannt


    Klassifikation :

    DDC:    535



    Direct band gap In"xGa"1"-"xAsGe type II strained quantum wells for short-wave infrared p-i-n photodetector

    Harbi, N. / Sfina, N. / Jbeli, A. et al. | British Library Online Contents | 2015


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    Allen, Kenneth W. / Duran, Joshua M. / Ariyawansa, Gamini et al. | IEEE | 2014