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    Titel :

    Wide-Band-Gap Halbleiter: SiC und GaN Erster SiC Leistungs-MOSFET in Designs einsetzbar


    Erschienen in:

    ELEKTRONIK INDUSTRIE ; 42 , 3 ; 76-79


    Erscheinungsdatum :

    2011-01-01


    Format / Umfang :

    4 pages



    Medientyp :

    Aufsatz (Zeitschrift)


    Format :

    Print


    Sprache :

    Deutsch


    Klassifikation :

    DDC:    333.7932



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