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    Titel :

    670 nm AlGaInP/GaInP strained multi-quantum well laser diode with high characteristic temperature (T~o)


    Beteiligte:
    Kim, J.-S. (Autor:in) / Yang, M. (Autor:in) / Choi, W.-J. (Autor:in) / Chang, J.-H. (Autor:in)


    Erscheinungsdatum :

    1995-01-01


    Format / Umfang :

    435 pages



    Medientyp :

    Aufsatz (Zeitschrift)


    Format :

    Print


    Sprache :

    Unbekannt


    Klassifikation :

    DDC:    537.5



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