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    Titel :

    Epitaxial growth of GaN on Si (100)/(sapphire (0001) using RF plasma-assisted ionized source beam expitaxy


    Beteiligte:
    Yoo, M. C. (Autor:in) / Kim, T. I. (Autor:in) / Kim, K. (Autor:in) / Shim, K. H. (Autor:in)


    Erscheinungsdatum :

    1995-01-01


    Format / Umfang :

    427 pages



    Medientyp :

    Aufsatz (Zeitschrift)


    Format :

    Print


    Sprache :

    Unbekannt


    Klassifikation :

    DDC:    537.5



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