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    Titel :

    Growth of GaAs single crystals by the floating zone technique


    Beteiligte:
    Herrmann, F. M. (Autor:in) / Mueller, G. (Autor:in)

    Erschienen in:

    Erscheinungsdatum :

    1994-01-01


    Format / Umfang :

    150 pages



    Medientyp :

    Aufsatz (Zeitschrift)


    Format :

    Print


    Sprache :

    Unbekannt


    Klassifikation :

    DDC:    500.5 / 387.8



    Growth of GaAs single crystals by the floating zone technique under microgravity

    Rupp, R. / Auerochs, S. / Müller, G. et al. | Elsevier | 1991


    Growth of 20 mm Diameter GaAs Crystals by the Floating Zone Technique During the D-2 Spacelab Mission

    Mueller, G. / Herrmann, F. M. / European Space Agency| German Space Agency (DARA)| Technical University of Berlin | British Library Conference Proceedings | 1996


    Floating-zone growth of Silicon

    Croell, A. / Dold, P. / Benz, K. W. | British Library Online Contents | 1994


    Floating zone of GaAs and effect of liquid encapsulation

    Li, J. / Sun, J. / Saghir, Z. et al. | British Library Conference Proceedings | 1992