Zugriff

    Zugriff über TIB

    Verfügbarkeit in meiner Bibliothek prüfen

    Bestellung bei Subito €


    Exportieren, teilen und zitieren



    Titel :

    Enhanced Electron Transit Time in Pinned-Buried Photodetectors


    Beteiligte:

    Kongress:

    International symposium; 1st, Integrated optoelectronics ; 2002 ; Philadelphia, PA



    Erscheinungsdatum :

    2002-01-01


    Format / Umfang :

    8 pages



    Medientyp :

    Aufsatz (Konferenz)


    Format :

    Print


    Sprache :

    Englisch




    Transit-time limited response from low capacitance CMOS photodetectors

    Bhatnagar, A. / Latif, S. / Miller, D.A.B. | IEEE | 2004


    Internal Resistance and Carrier Transit Time in PIN Photodetectors

    IEEE | British Library Conference Proceedings | 1999


    PINNED LUG JOINT

    WILDMAN ERIC / ABDULKADER MOHAMED SAFFIQUE | Europäisches Patentamt | 2016

    Freier Zugriff

    Pinned lug joint

    WILDMAN ERIC / ADBULKADER MOHAMED SAFFIQUE | Europäisches Patentamt | 2015

    Freier Zugriff

    Pinned telescoping crane boom

    SCHOONMAKER STEPHEN J | Europäisches Patentamt | 2022

    Freier Zugriff