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    Titel :

    Effect of Strain on the Threshold Current of GaInP/AlGaInP Quantum Well Lasers Emitting at 633 nm


    Beteiligte:

    Kongress:

    13th, International semiconductor laser conference ; 1992 ; Takamatsu; Japan



    Erscheinungsdatum :

    1992-01-01


    Format / Umfang :

    2 pages


    Anmerkungen:

    Described as the conference digest



    Medientyp :

    Aufsatz (Konferenz)


    Format :

    Print


    Sprache :

    Englisch




    Effect of strain on the threshold current of GaInP/AlGaInP quantum well lasers emitting at 633 nm

    Valster, A. / van der Poel, C.J. / Finke, M.N. et al. | IEEE | 1992


    Intrinsic modulation bandwidth of strained GaInP/AlGaInP quantum well lasers

    Moritz, A. / Wirth, R. / Heppel, S. et al. | IEEE | 1996


    Intrinsic Modulation Bandwidth of Strained GaInP/AlGaInP Quantum Well Lasers

    IEEE; Lasers and Electro-Optics Society | British Library Conference Proceedings | 1996


    Low-Threshold High Quantum Efficiency 670 nm GaInP/AlGaInP Ridge-Waveguide Lasers

    IEEE; Lasers and Electro-Optics Society | British Library Conference Proceedings | 1997


    Low threshold CW operation of GaInP/AlGaInP DFB lasers at 680 nm

    Gauggel, H.-P. / Kuhn, J. / Jerichow, C. et al. | IET Digital Library Archive | 1997